USBメモリ 61本目 _

1 ：不明なデバイスさん：2016/06/20(月) 11:22:13.01 ID:psfKOOq1.net

USBメモリについて語るスレ、ついでにベンチマーク結果を教えてね
外付けSSDや、公式でUSBメモリ類と明記されていない製品はスレ違いです

■まとめ
USB3.0メモリまとめ (47本目544さん作成) ベンチマークファイル
http://phase.s214.xrea.com/
USBメモリ まとめWiki (13本目733さん作成) 凍結中 旧製品のみ
http://usbmem.heriet.info/

■前スレ
USBメモリ 60本目　©2ch.net
http://echo.2ch.net/test/read.cgi/hard/1448374993/

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スレ立て時に、メール欄にageteoffを入れると、余計な物が追加されない
(c)2ch.netは必ず付く様なので、〜本目_　等最後に_を追加して、視認性を上げるのも有りです
尚、スレタイ末尾のスペースは強制的に削除されます

449 ：不明なデバイスさん：2016/09/22(木) 16:11:46.99 ID:v0sQPtfR.net

>>443
読み込み時に書き込みを伴うなんてどこで聞いたの？

450 ：不明なデバイスさん：2016/09/22(木) 17:01:42.75 ID:3c5fG6Qz.net

DRAMと勘違いしてるのでは？

451 ：不明なデバイスさん：2016/09/22(木) 17:35:00.60 ID:l267cm24.net

>>449
NANDフラッシュは時間が経つと電荷が抜けるため、定期的に書き直す必要がある。(温度にも拠るけど、年単位の時間)
なので、読み込み時にも内部的に書き換えることはあるよ。

>>443
読み込みのみでも内部的に書き換わる時はあるけど毎回じゃないから、気にしないで良いよ。

452 ：不明なデバイスさん：2016/09/22(木) 17:35:40.74 ID:1EVDv9z+.net

読み込み時にエラーが発生して、ECCにて訂正が行われると
そのブロック全体を書き直す処理を行う事で、書き込みは行われると
これは内部処理なのでユーザーは意識できないだけ

NANDフラッシュメモリ自体、極めて一般的にエラーが起こることが普通で
ECC必須となっているから、頻度や量はともかく、書き込みは行われていると
実際にデータを書き込んでる程の量だとも思えないけどね

他にも読み込み時に、記録エリアの一部ラインに電流を流すから
これが原因で徐々にフラッシュメモリ内部の電圧が変化して
エラーが生じやすくなる、といった影響もある

長文失礼