デジカメニュースサイト総合スレ Part.23

名無CCDさん＠画素いっぱい

裏面照射型CMOSセンサーの製造で最も困難なのが、シリコン基板を削る工程だという。

表面照射型CMOSセンサーのシリコンから配線層までの厚さは約730μm。一方、裏面照射型CMOSセンサーはシリコン基板をフォトダイオードに達するまで削り、約8μmまで薄くする。実に1/90だ。
どうやってそこまで薄く削るのかが気になるが、方法は秘密中の秘密という。

さて、日本がリードしているイメージセンサー開発だが、昨今は「台湾セミコンダクター・マニュファクチュアリング・カンパニー」（TSMC、半導体製造専業の世界最大手）など、
裏面照射型CMOSセンサーの量産を手がける企業も現れ始めている。

（10年前のソニー記事このときの製品は1/2.4型裏面照射センサー）
https://dc.watch.impress.co.jp/docs/review/special/351111.html