韓国KFX次期ステルス戦闘機　Part27

46 ：名無し三等兵 ：2020/07/24(金) 08:52:17.45 ID:UGpKT0iZ0.net

前スレの反論に気づいた範囲で答える。

950 名前：名無し三等兵 (ﾌﾞｰｲﾓ MM4d-/bti)[] 投稿日：2020/07/22(水) 17:52:58.31 ID:byzcsInqM
>>906
>>903のどこに電圧をどこまでもかけれるなんて書いてある？
>　むしろ逆でかけれる電圧が材料によって違うから出力に差ができるって書いてる
>　あと熱破壊の話ではないよ
>　ＧａNはバンドギャップが広くて絶縁破壊電界強度が高くなるからより高い電圧をかけれるわけ
限界があるなら電圧を上げたことが高性能の理由にならないのでは？
絶縁破壊は主因は熱だよ。
熱による絶縁破壊の限界が上がった結果電圧が上げれただけだよ。

>　>>909
>　そのロスはどれだけ違うんだ？
個々の素子の特性はデータシートに書いてある。（おそらくグラフ上だが）
興味があるなら参照すればいい。
俺は理論的な話をしている。
https://industrial.panasonic.com/jp/products/semiconductors/powerics/ganpower
　GaNは従来のSiと比べて理論上約３桁（100倍）小さいオン抵抗が期待でき
on抵抗とは出力時の素子自体の抵抗。
つまり、その周波数のアンテナのインピーダンス（内部抵抗）と直列回路となる。
あとは分圧計算でそれぞれにかかる電圧が出る、電圧と抵抗からロスは計算できる。
仮に、出力電圧100V、その周波数のアンテナのインピーダンスを　9Ωとすれば、
on抵抗　1Ω　　で、素子には　10V　掛かり、ロスは　100ｗ　　それに対し。
on抵抗　0.01Ω　なら、素子 0.11V　掛かり、ロスは 1.21w 　となる。
自分で計算してみてくれ。

>　それに比べてロスの差なんて微々たるものだよ
>　しかも熱破壊の問題ですらないし
根拠を書かないと反論にならないよ。